单层芯片电容具有体积小、容量大、结构坚固、电气性能稳定、可靠性高等特点，被广泛应用于电子、雷达、导航、卫星通讯等。而单层芯片电容的晶界层陶瓷材料是一类利用特殊的显微结构即晶粒半导化、晶界绝缘化而形成的高性能陶瓷材料。由于晶界层陶瓷材料具有高介电常数及良好温度特性而被应用于单层芯片电容中，但是单层芯片电容尺寸比较小，切割精度的要求十分苛刻，特别是晶界层材料晶界间的粘附性较弱，传统单层芯片电容的切割工艺会使晶格从陶瓷表面脱落，易产生崩瓷现象，所以一般会使用非常昂贵精密的进口切割设备及进口刀具，生产成本较高。

为了解决晶界层陶瓷切割过程中会出现崩瓷的问题，广东爱晟电子科技有限公司推荐一种单层芯片电容的切割方法，可极大提高产品合格率及切割质量。具体工艺步骤如下：

一、将带有电极图形的单层芯片电容上表面贴加保护膜或涂保护漆，厚度为0.1μm，放入真空烘箱内烘干，时间为30mins，温度为150℃；

二、使用自动贴膜机将单层芯片电容贴于切割专用膜上，切割专用膜的粘度为5N/10mm，厚度为0.1mm；

三、使用自动切割机，放入待切割的单层芯片电容，切割步数为3步切割：

第1步切割高度设为0.05mm，切割速度为1mm/s，主轴转速为20000rpm；

第2步切割高度设为0.1mm，切割速度为2mm/s，主轴转速为30000rpm；

第3步切割高度为0.23mm，切割速度为2mm/s，主轴转速为35000rpm；


四、切割完毕的单层芯片电容放入自动清洗机，采用二流体清洗，清洗去除芯片电容的保护膜或保护漆及切割的残留粉末等杂质，然后用氮气枪吹干；

五、将单层芯片电容移至自动解膜机，解除切割膜的粘性，进行分选测试。

与现有技术相比，该制备方法有以下优点:

1、通过对切割工艺的改进，可整齐地切断晶界层陶瓷材料的晶格，不产生崩瓷现象，可以切割出边缘整齐、表面完好的单层芯片电容；

2、极大地提高产品合格率及切割质量，同时克服使用进口设备和刀具带来的成本问题，降低生产成本，适用于工业化生产。





参考数据：

CN110228140A《一种单层片式晶界层陶瓷电容器的切割方法》