单层芯片电容的优良微波频率、高介电常数，使其被广泛应用于微波器件、射频器件、LED等需要微组装工艺的电子设备中。常规的单层芯片电容为获取高介电常数，其瓷体晶粒必须≥30μm，这就容易导致高温高湿环境下，水汽容易吸附在侧壁晶界上，导致单层芯片电容绝缘电阻下降。

针对现有技术的不足，广东爱晟电子科技有限公司介绍一款单层芯片电容，其性能优良，解决了单层芯片电容在高温高湿环境下绝缘电阻下降的问题。这款单层芯片电容晶界层的材料配比为TiO2 60~65％、SrCO3 33~39％、La2O3 0.2~2.5％，配方中还包括添加剂，所述添加剂为Ta2O3、Nb2O3、Al2O3、SiO2、MnCO3或CuO中的一种或两种以上组成。具体的制备方法如下：

一、将材料按百分比配好后加入去离子水进行混合10~20小时，然后烘干、粉碎；

二、将粉碎好的材料在1200℃~1300℃下煅烧2~3小时，然后粉碎过筛； 

三、将过筛后的材料加入添加剂，其比重占总重量的0.1~1.5%，混合10~20小时后进行流延成膜；

四、将膜片在空气中，500℃~1200℃下排胶10~40小时；然后在7％~15％氢含量的氢氮混合气中1400℃~1450℃下还原2~3小时；最后在烧结片上涂覆氧化剂，在空气气氛中750~℃1200℃下氧化20~180分钟，得到烧结后的单层芯片电容用基片；

五、将基片进行清洗和溅射钛钨、镍、金，然后电镀金，得到金属化基片；

六、将金属化基片进行切割，得到所需要大小的小基片；

七、将切割好的小基片用离心机甩干，然后放入烘箱中在150℃~250℃的温度下进行固化处理，得到单层芯片电容。





参考资料：

CN102320827B《单层电容器晶界层材料、基片的制作方法、以及单层电容器的方法》