单层芯片电容被广泛应用于微波通讯、微波功率放大器、微波集成电路等，起到隔直通交、RF旁路、滤波、调谐等作用。现有的单层芯片电容的制备工艺为：陶瓷粉料配料→球磨→等静压成型→烧结陶瓷锭→切片→丝网印刷法印刷银浆→烘干→烧银→划切。然而，使用银电极和采用丝网印刷法存在以下几个问题：

一、银浆在丝网印刷和烘干过程中容易受到污染，且得到的银电极容易氧化、发黄发黑，造成产品的稳定性和可靠性较差；

二、前期制备银浆和后期烘干银浆、烧结银电极的工序较为繁琐；

三、印刷制得的银电极层厚度较大且在陶瓷基片的表面上覆盖不均匀，在划切过程中容易起皮和产生毛刺，银浆材料损耗较多；

四、银层在高温烧结时会重新结晶，晶型改变从而性能发生改变，造成产品电气性能下降；

五、在高温烧银过程中排放的气体对环境造成污染。

为解决上述问题，广东爱晟电子科技有限公司介绍一款高可靠Ir-Cu-Au复合电极单层芯片电容，其具有稳定性好、可靠性高、不易老化、耐冷热冲击等优点。具体制备方法如下：

1）制备陶瓷基材

按常规单层芯片电容陶瓷配方配得陶瓷粉末，再对陶瓷粉末进行球磨、等静压成型、烧结、切片，得到片状的陶瓷基材。

2）一次清洗

使用清洗液处理陶瓷基材，再使用超声波机清洗，清洗时间为5±1分钟，然后烘干，烘干温度为100±5℃，烘干时间为30±5分钟。

3）二次清洗

将一次清洗得到的陶瓷基材放到等离子清洗机中进行二次清洗，清洗时间为5±1分钟，烘干温度为100±5℃，烘干时间为30±5分钟，同时活化表面。

4）溅射铱层

先将真空溅射镀膜机抽真空到工艺范围，再充入氩气作为工作气体，以铱作为靶材，在电场作用下，Ar+加速轰击靶材，将靶材原子溅射到陶瓷基材上，在陶瓷基材的两表面上分别溅射一层铱层，溅射厚度为0.01~2微米。

5）溅射铜层

先将真空溅射镀膜机抽真空到工艺范围，再充入氩气作为工作气体，以铜作为靶材，在电场作用下，Ar+加速轰击靶材，将靶材原子溅射到陶瓷基材上，在陶瓷基材两表面的铱层表面上分别溅射一层铜层，溅射厚度为0.01~2微米。

6）溅射金层

先将真空溅射镀膜机抽真空到工艺范围，再充入氩气作为工作气体，以金作为靶材，在电场作用下，Ar+加速轰击靶材，将靶材原子溅射到陶瓷基材上，在陶瓷基材两表面的铜层表面上分别溅射一层金层，溅射厚度为0.01~1微米。

7）对陶瓷基材进行划切，得到单层芯片电容。





参考数据：

CN111180203A《一种高精度高可靠Ir-Cu-Au复合电极芯片电容》