广东爱晟电子科技有限公司生产的SLC单层芯片电容具有尺寸小、厚度薄、等效串联电阻低、损耗低的优点，应用频率可达数GHz，适用于小型、微波的场合，可应用于微波集成电路中，起到隔直流、RF旁路、滤波、调谐等作用。

SLC单层芯片电容的介质陶瓷基片是由陶瓷生坯经高温烧结致密化而成，烧结时生坯会发生收缩，其收缩率可达17％~20％。烧结过程中的收缩应力会使基片翘曲，导致后续加工如电极被覆、二次切割等无法进行，使产品不良率增加。为了获得平整度高、电气性能良好的单层芯片电容，就需要一套提高良品率的工艺流程，具体的步骤如下：

一、将陶瓷粉末与粘合剂、溶剂混合配制成陶瓷浆料，将陶瓷浆料流延并烘干得到陶瓷膜片；

二、按设计厚度堆叠陶瓷膜片形成厚膜并用等静压机将其压合后按一定尺寸切割得到方形的基片生坯；

三、将基片生坯高温烧结形成陶瓷基片；

四、在基片上溅射形成金属电极并将基片二次切割，制得单层芯片电容。

其中，基片生坯堆叠烧结的过程为制备多个基片生坯及多个氧化锆膜，将若干个生坯和氧化锆膜交替地自然堆叠并装钵于氧化锆板上进行烧结得到。基片生坯与氧化锆膜自然堆叠，相互之间没有粘接，烧结时各基片生坯能够自由收缩。收缩应力产生没有叠加且应力较小，氧化锆膜也不会对基片生坯的收缩产生抑制，因此得到平整无裂片的基片，且氧化锆膜容易从基片上分离。采用该烧制方法，烧结基片生坯在达到生坯开始收缩的温度后，按2℃/min的速率缓慢升温至最高烧结温度，可制得平整度高且电气性能良好的陶瓷基片，制得的SLC单层芯片电容电容量集中、损耗低、绝缘性能好。





参考数据：

CN105632758A《一种陶瓷电容器用陶瓷基片烧制方法》