如今，表面贴装技术（SMT，Surface Mount Technology）、整机小形化、高频化的不断推进，促使SLC单层芯片电容开始向微型化、高频化方向发展。在电子移动通讯和电子整机设备中被广泛应用的单层芯片电容，其具有体积小、厚度薄、损耗低、优良射频等特点，可用于各种电子整机中的振荡、耦合、滤波和旁路。但市面上大多数单层芯片电容存在射频参数差、容量小、耐压低等劣势，因此有必要研制一款高频SLC单层芯片电容。广东爱晟电子科技有限公司为大家介绍一款单层芯片电容，其电容量大、尺寸小、耐电压高、等效串联电阻低且高频微波特性良好。具体的制备步骤如下：

一、以钛酸钡体系的低烧X7R陶瓷粉料作为主基材，将氧化剂以及玻璃烧结助剂按比例砂磨混合，砂磨混合之后进行烘干处理得到干燥混合物；

二、将干燥混合物预烧处理之后，干燥、粉碎、细化得到多层低温烧结电容器瓷粉；

三、将多层低温烧结电容器瓷粉、无水乙醇、分散剂、消泡剂以及粘合剂混合球磨，得到浆料，将浆料倒在流延机注入口的PET载膜上，通过刮刀、加热区后形成稳定且具有韧性的微米级厚度陶瓷膜带，最后，裁剪得到生瓷膜片；

四、对生瓷膜片进行打孔操作，并使用通孔金浆和内电极金浆分别进行通孔和内电极的印刷；

五、将含通孔的膜片与含有内电极浆料的生瓷膜片依据对位标记堆叠起来，经过等静压形成类似MLCC的埋入式结构的巴块，其中等静压参数随产品厚度的不同而改变；

六、采用厚膜印刷方式，使用表层金浆在巴块的上下表面分别印制一层金电极，得到SLC单层芯片电容生坯；

七、将芯片电容生坯放置于承烧板上，由室温经20h~48h缓慢升温至400℃~600℃排出芯片电容中的有机物，再进行烧结处理；置于高温箱式电炉中进行烧结处理，烧结温度为900℃±50℃，保温时间为2h~5h；

八、采用精确切割工艺技术，得到需求尺寸的高频SLC单层芯片电容。





参考数据：

CN108922779A《一种片式通孔金电极芯片电容器及其制备方法》